2英寸氮化镓衬底片厂商 GaN衬底片抛光片工厂
恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。氮化镓复合衬底有2英寸和4英寸，衬底结构为GaN on Sapphire。
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第一代半导体材料以硅和锗为代表，第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在诸多领域有广阔的应用前景。
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