碳化硅衬底晶片生产厂家 4H-N碳化硅晶圆片
苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅衬底片和4H半绝缘碳化硅衬底片,所生产的碳化硅衬底片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。
碳化硅为第三代半导体的主要代表之一,拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势,在电动汽车、电源、航天等领域备受欢迎,为众多产业发展打开了全新的应用可能性,被行业寄予厚望。
碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物,目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种,其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料,与硅材料的物理性能对比,主要特性包括:(1)临界击穿电场强度是硅材料近10倍;(2)热导率高,超过硅材料的3倍;(3)饱和电子漂移速度高,是硅材料的2倍;(4)抗辐照和化学稳定性好;(5)与硅材料一样,可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。
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