供应碳化硅晶片厂家 4英寸SiC碳化硅衬底晶片
苏州恒迈瑞材料科技生产供应标准的2英寸3英寸4英寸6英寸碳化硅晶片,用于肖特基二极管(SBD),金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。这些电子电力器件可广泛应用于太阳能逆变器,风力发电,混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。
产品类型:4H-SI碳化硅衬底
掺杂:非掺杂厚度:500um±25um
尺寸:2英寸,3英寸,4英寸,6英寸
晶向:On axis : <0001>±0.5°
碳化硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域是**的器件。有报道称已成功研制出阻断电压10kV的碳化硅MOSFET。研究人员认为,碳化硅MOSFET在3kV~5kV领域将占据优势地位。
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