碲化锗靶材GeTe磁控溅射靶材
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产品属性
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99.99%
产地
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杂质含量
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科研实验专用碲化锗靶材GeTe磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

       碲化锗晶体可用作红外光发射和探测材料。周期表第W, 族元素化合物半导体。 离子性晶体。三角晶系面心结构,熔点724 C' 。为直接带隙半导体,采用熔化再结品法制备。

产品参数

中文名 碲化锗   化学式   GeTe

熔点 725℃        密度 6.14g/ml

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

 陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!

       我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。

       注意:高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!

       建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。



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北京京迈研材料科技有限公司
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工商信息
统一社会信用代码91110112355280312N
成立日期2015年08月31日
组织机构代码355280312
经营状态存续
法定代表人王淑元
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更新时间:2020-10-14
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