EN-6500A分立器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、双极型三极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
该设备具有如下特点：
1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备，电流**可扩展至8000kA,电压**可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。
3、该试验台的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
4、该试验台采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
5、该套测试设备主要由以下几个单元组成：
Ø 开关特性测试单元
Ø 反向恢复测试单元
Ø 栅极电荷测试单元
Ø 安全工作区测试系统
Ø 结电容测试单元
Ø 栅极内阻测试单元
Ø 雪崩耐量测试单元
可对各类型二极管、双极型晶体管、场效应晶体管等报道提分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。
1、环境温度：15—40℃
2、相对湿度：存放湿度不大于80%
3、大气压力：86Kpa—106Kpa
4、海拔高度：1000米以下
5、电网电压：AC220V±10%无严重谐波
6、电网频率：50Hz±1Hz
7、电源功率：20KW
8、供电电网功率因数：＞0.9
9、无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。
设备技术指标要求如下：
1、开关时间：
漏极电压测试范围：5V-1200V分辨率1V；
漏极电流测试范围：1A-200A，分辨率1A；
栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；
**栅极电流：2A；
**脉冲电流：200A；
电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，
100V-1200V，步进1.0V。
脉冲宽度：0.1us-10us,步进0.1us；
时间测试精度：1ns；
感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10uH；
阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，备用三个电阻，以便使用时选择。
2、栅极电荷
驱动电流：0-2mA 分辨率0.01mA，
2-20mA 分辨率0.1mA；
栅极电压：±30V，分辨率0.1V；
恒流源负载：1-25A，分辨率0.1A，
25-200A，分辨率1A；
漏极电压：5-100V，步进0.1V，
100-1200V，步进1.0V。
3、反向恢复
正向电流：1A-25A，分辨率0.1A，
25A-200A，分辨率1A；
反向电压：5v-100V，步进0.1V，
100V-1200V，步进1.0v；
反向恢复时间范围：10ns-2µs；
反向恢复电荷范围：1nC-100µC；
反向di/dt：1-10kA/us；
反向dv/dt：1-10kV/us。
4、反偏安全工作区
400A(2倍额定电流下，测试期间关断电压、电流)。
5、短路安全工作区
一次短路电流1000A；
脉冲宽度5us-10us，步进1us。
6、结电容
电容测试扫频范围：0.1MHz～4MHz；
漏源极电压：200V，分辨率1V。
7、栅极电阻
栅极电阻范围： 0.1～50ohm；分辨率0.1Ω；
漏极偏置电压： 0～1200V；
栅极偏置： ±20V。
8、雪崩耐量
**雪崩击穿电压≥2000V；
雪崩电流：200A；
感性负载：0.01mH～100mH连续可调，步进10μH；
可测试单次雪崩、重复雪崩。
9、杂散电感
设备内部杂散电感小于100nH。
10、加热装置
温度调节范围：室温-150℃，分辨率0.1℃；
温度可控，控制精度±1℃；
加热板隔离电压大于3kV；
11、操作系统
机箱：4U 15槽上架式机箱；
CPU： INTEL双核；
主板：研华SIMB；
硬盘：500G；内存4G；
集成VGA显示接口、4个PCI接口、2个串口、6个USB接口等；
欧姆龙PLC逻辑控制。
12、数据***
示波器：带宽不低于500MHz，采样率不低于2.5Gs/s；
高压探头：满足动态参数测试需求；
电流探头：满足动态参数测试需求；
状态监测：NI数据***卡；
上位机：基于Labview人机界面；
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