晶圆测温系统，晶圆测温仪，tc wafer热电偶

背景

高温反应室可用于在半导体衬底上沉积各种材料层，半导体衬底,例如硅晶片,可以放置在反应室内的晶片支撑件上，晶圆和支撑都可以加热到所需的设定点温度，在示例性晶片处理过程中,反应气体可以通过加热的晶片,导致反应材料薄层化学气相沉积(cvd)到晶片上，通过后续的沉积、掺杂、光刻、蚀刻等工艺,这些层形成集成电路；可以仔细控制各种工艺参数,以确保高质量的沉积层，一个这样的过程变量的一个例子是晶片温度，在cvd期间,沉积气体在某些预定温度范围内反应以沉积到例如晶片上。温度的变化将导致沉积速率的变化和不希望的层厚度。因此,在加工开始前精确控制晶圆温度以使晶圆达到所需温度并在整个加工过程中保持所需温度非常重要。

产品介绍

晶圆测温仪是一种用于测量半导体晶圆表面温度的仪器。它在半导体制造过程中起着至关重要的作用，可以帮助工程师监测和控制晶圆的温度，确保制造过程的稳定性和可靠性。

晶圆测温仪的原理基于热电效应，通过测量晶圆表面的热电势差来推导出温度信息。晶圆测温仪通常由温度传感器、信号处理器和显示器等组成。温度传感器可以是热电偶、热敏电阻或热电阻等，它们与晶圆表面接触，将表面温度转换为电信号。信号处理器对传感器输出的电信号进行放大、滤波和线性化处理，将温度数据传递给显示器进行显示和记录。

晶圆测温仪具有许多优点。首先，它可以实时、准确地测量晶圆表面温度，帮助工程师了解晶圆制造过程中的温度变化情况。其次，晶圆测温仪可以帮助工程师及时发现温度异常，及时采取措施进行调整和修正，以保证产品质量和制造效率。此外，晶圆测温仪还可以提供数据记录和分析功能，帮助工程师进行数据统计和趋势分析，以优化制造过程和提高生产效率。

晶圆测温仪在半导体制造过程中有广泛的应用。首先，在晶圆生长过程中，晶圆测温仪可以帮助工程师监测晶圆的生长温度，以控制晶体生长速度和晶体结构的质量。其次，在晶圆切割和研磨过程中，晶圆测温仪可以帮助工程师控制切割和研磨工具的温度，以避免过热和过冷对晶圆的损伤。此外，在晶圆的薄膜沉积和光刻过程中，晶圆测温仪可以帮助工程师控制温度分布和均匀性，以保证薄膜和光刻图案的质量。

参数要求

硅片尺寸：2，3，4，5，6，8，12寸

测温点数：1-64点

温度范围：-200-1200度

数据采集系统：1-64路

定制分析软件

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