BW-3022A
晶体管直流参数测试仪
品牌: 博微电通
名称:分立器件测试仪/半导体静态参数测试仪/晶体管参数测试仪
型号: BW-3022A
用途: 针对二极管、三极管、MOSFET、JFET、三端稳压器IC、基准器TL431、双向可控硅等提供15种主要参数的测试,及测试参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。
BW-3022A产品介绍:
BW-3022A晶体管直流参数测试仪用于半导体电子元器件及IC的静态直流参数测试,测试种类包括 二极管、三极管、MOSFET、JFET、三端稳压器IC、基准器TL431、双向可控硅等,电流分辨率1uA,测试电压可达1500V,中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中,BW-3022A晶体管直流参数测试仪为双极型晶体管.MOS场效应管,J型场效应二极管等提供了15种主要参数的测试,和参数”合格/不合格”(OK/NO)测试。操作简便,实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。
产品电气参数:
产品信息
产品型号:BW-3022A
产品名称:晶体管直流参数测试仪;
物理规格
主机尺寸:深 305*宽 280*高 120(mm)
主机重量:<4.5Kg
主机颜色:白色系
电气环境
主机功耗:<75W
环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);
相对湿度:≯85%;
大气压力:86Kpa~106Kpa;
防护条件:无较大灰尘,腐蚀或可燃性气体,导电粉尘等;
电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作时间:连续;
服务领域:
应用场景:
产品特点:
?大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单
?大容量EEPROM存储器,储存量可多达2000种设置型号数.
?全部可编程的DUT恒流源和电压源.
?内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路.
?高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V;
?重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题;
?软件自校准功能;
?自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试;
?DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型,显示测试结果是否合格,并有声光提示;
?整流二极管测试能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进行参数测试.显示对应引脚功能号;
?两种工作模式:手动、自动测试模式。
BW-3022A测试技术指标:
1、 整流二极管,三端肖特基:
1.1 耐压(VRR)测试指标
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-1600V |
2V |
/-2% |
0-2.000mA |
1.2导通正向压降(VF)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A |
2 、N型三极管
2.1 输入正向压降(Vbe)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A |
2.2 耐压(Bvceo)测试指标
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-1600V |
2V |
/-5% |
0-2.000mA |
2.3 直流放大倍数(HEF)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-12000 |
1 |
/-2% |
0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce) |
2.4 输出饱和导通压降(Vsat)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
3、P型三极管
3.1 输入正向压降(Vbe)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A |
3.2 耐压(Bvceo)测试指标
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-1600V |
2V |
/-5% |
0-2mA |
3.3 直流放大倍数(HEF)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-3000 |
1 |
/-2% |
100uA(Ib) 5V(Vce)固定 |
3.4 输出饱和导通压降(Vsat)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
4、N,P型MOS场效应管
4.1输入启动电压(VGS(th))
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-20.00V |
20mV |
/-2% |
0-2.000mA |
4.2耐压(Bvds)测试指标
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-1500V |
2V |
/-5% |
0-2mA |
4.3导通内阻(Rson)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-9999MR |
0.1MR |
/-5% |
0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
10R-100R |
0.1R |
/-5% |
0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
5、三端稳压IC
5.1 输出电压(Vo)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-20.00V |
20mV |
/-2% |
0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO) |
6、基准IC 431
6.1输出电压(Vo)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-20.00V |
20mV |
/-2% |
0-1A(Iz) |
7、结型场效应管
7.1漏极饱和电流(Idss)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-40mA |
40uA |
/-2% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
40-400mA |
400uA |
/-2% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
7.2耐压(Bvds)测试指标
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-1600V |
2V |
/-5% |
0-2mA |
7.3夹断电压(Vgs(off))
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-20.00V |
0.2V |
/-5% |
0-20V(VDS) 0-2mA(ID) |
7.4共源正向跨导(gm)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-99mMHO |
1mMHO |
/-5% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
8、双向可控硅
8.1导通触发电流(IGT)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-40.00mA |
10uA |
/-2% |
0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
8.2导通触发电压(VGT)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2.000V |
2mv |
/-2% |
0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
8.3耐压(VDRM/VRRM)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-1500V |
2V |
/-5% |
0-2.000mA |
8.4通态压降(VTM)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-2.000V |
2mV |
/-2% |
0-2.000A(IT) |
8.5保持电流(IH)
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0-400mA |
0.2mA |
/-5% |
0-400Ma(IT)
|
详细参数请登录官网:www.sxbwdt.cn 或联系厂家索要产品资料。
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