中华立鼎光电是一家研发、生产高品质InGaAs短波探测器的公司，其产品从点元探测器到面阵探测器一应俱全，质量可靠，价格合理，得到世界客户的广泛认可和应用。在国内的**合作伙伴-西安立鼎光电负责大陆地区的该公司全线产品的市场推广和技术支持。
1、InGaAs焦平面探测器
320*256 640*512
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320*256-KM 640*512-KM
此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm，目前可做到320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合，同时采用LCC及Kovar气密封装，且表面镀有抗反射膜。同时，我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
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1.1 、 FPA-320x256InGaAs Imager （ 0.9um-1.7um ）
此 InGaAs 焦平面阵列是应用在 900nm-1700nm 的近红外成像和成像光谱技术，尤其是在非制冷条件下的优化解决方案， CLPT 的核心技术是实现优良品质的 InGaAs 焦平面阵列， CLCC 封装也便于CCD与 CMOS 数码相机制造商的机械设计。
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****额定值
参数 | 单位 | 最小值 | **值 |
工作温度范围 | ℃ | -20 | 85 |
储存温度范围 | ℃ | -40 | 85 |
功耗 | mW | --- | 175 |
FPA 特性
参数 | 典型值 | 条件 |
光谱响应 | 0.9um-1.7um | --- |
最小像素的可操作性 | >99% | 318*254内的中心地区 |
暗电流 | 25℃,0.1V探测器偏压 | |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探测率 | ≥5*1011Jones | 25℃,λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
响应非均匀性 | 饱和度低于 50%,25 ℃ | |
非线性(**偏差) | 超过10%-90%满阱容量 | |
**像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:14.38uV/e- Low:0.77 uV/e- | 25℃ |
1.2 、 FPA-640*512 InGaAs Imager （ 0.9um-1.7um ）
此 InGaAs 焦平面阵列是应用在 900nm-1700nm 的近红外成像和成像光谱技术，尤其是在非制冷条件下的优化解决方案， CLPT 的核心技术是实现优良品质的 InGaAs 焦平面阵列， CLCC 封装也便于CCD与 CMOS 数码相机销售商的机械设计。灵敏度可以通过使用嵌入式 TEC 进一步提高，高可靠性可以通过密封金属封装来实现。
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FPA-640*512 说明
参数 | 单位 | 最小值 | **值 |
工作温度范围 | ℃ | -20 | +85 |
储存温度范围 | ℃ | -40 | +85 |
功耗 | mW | --- | 325 |
TEC电流 | A | --- | 1.8 |
TEC电压 | V | --- | 15.4 |
FPA Characteristics（FPA特性）
参数 | 典型值 | 条件 |
光谱响应 | 0.9-1.7um | --- |
最小像素的可操作性 | >99% | 636*508内的中心地区 |
暗电流 | 25℃,0.1V探测器偏压 | |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探测率 | ≥5*1011 jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
响应非均匀性 | 饱和度低于50%,25℃ | |
非线性(**偏差) | 超过15%-85%全阱容量，低增益 | |
**像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e- | 25℃ |
TEC制冷 | ΔT>70℃ | 无需加载 |
1.3、随着技术的不断革新，现CLPT公司也提供：
1）响应波段在1.2-2.2um范围的320*256面阵探测器；
2）体积更小，质量更轻的320x256和640x512面阵探测器，改进产品的型号是：
FPA 320x256-KM和FPA 640x512-KM。
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