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LS产电IGBT模块的工作特性和驱动电路要求
2013-11-16  点击:40

欢腾电子有限公司是韩国LS产电LS-IGBT模块模块的代理商,LS-IGBT模块模块集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、输入阻抗大和工作频率高等优点。经过几年的努力,LS-IGBT模块模块在以逆变焊机、变频器、UPS电源及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。

    1  LS-IGBT模块模块的工作特性

    LS-IGBT模块是一种电压型控制器件,它所需要的驱动电流与驱动功率非常小,可直接与模拟或数字功能块相接而不须加任何附加接口电路。LS-IGBT模块的导通与关断是由栅极电压UGE来控制的,当UGE大于开启电压UGE(th)时LS-IGBT模块导通,当栅极和发射极间施加反向或不加信号时,LS-IGBT模块被关断。

    LS-IGBT模块与普通晶体三极管一样,可工作在线性放大区、饱和区和截止区,其主要作为开关器件应用。在驱动电路中主要研究LS-IGBT模块的饱和导通和截止两个状态,使其开通上升沿和关断下降沿都比较陡峭。

    

     2 LS-IGBT模块驱动电路要求

   1)栅极正向驱动电压的大小将对电路性能产生重要影响,必须正确选择。当正向驱动电压增大时,.LS-IGBT模块的导通电阻下降,使开通损耗减小;但若正向驱动电压过大则负载短路时其短路电流IC随UGE增大而增大,可能使LS-IGBT模块出现擎住效应,导致门控失效,从而造成LS-IGBT模块的损坏;若正向驱动电压过小会使LS-IGBT模块退出饱和导通区而进入线性放大区域,使LS-IGBT模块过热损坏;使用中选12V≤UGE≤18V为好。栅极负偏置电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使LS-IGBT模块误导通,一般负偏置电压选一5V为宜。另外,LS-IGBT模块开通后驱动电路应提供足够的电压和电流幅值,使LS-IGBT模块在正常工作及过载情况下不致退出饱和导通区而损坏。

 

   2)LS-IGBT模块快速开通和关断有利于提高工作频率,减小开关损耗。但在大电感负载下LS-IGBT模块的开关频率不宜过大,因为高速开通和关断时,会产生很高的尖峰电压,极有可能造成LS-IGBT模块或其他元器件被击穿。

 

   3)选择合适的栅极串联电阻RG和栅射电容CG对LS-IGBT模块的驱动相当重要。RG较小,栅射极之间的充放电时间常数比较小,会使开通瞬间电流较大,从而损坏LS-IGBT模块;RG较大,有利于抑制dvce/dt,但会增加LS-IGBT模块的开关时间和开关损耗。合适的CG有利于抑制dic/dt,CG太大,开通时间延时,CG太小对抑制dic/dt效果不明显。

 

   4)当LS-IGBT模块关断时,栅射电压很容易受LS-IGBT模块和电路寄生参数的干扰,使栅射电压引起器件误导通,为防止这种现象发生,可以在栅射间并接一个电阻。此外,在实际应用中为防止栅极驱动电路出现高压尖峰,**在栅射间并接两只反向串联的稳压二极管,其稳压值应与正负栅压相同。

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