公司简介 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。 公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计和生产制造经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司已具有2500多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。 半导体材料事业部、半导体器件事业部、半导体装备事业部。 团队部分业绩分布 完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。典型用户：浙江大学光学仪器国家重点实验室 采用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积PECVD技术，设计制造了团簇式太阳能薄膜电池中试线。典型用户：中科院电工所。 采用热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。典型用户：中国科学院金属研究所。 设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。使用单位：武汉国家光电实验室。 设计制造了科研型的磁控溅射仪，典型用户：南方科技大学、哈尔滨工业大学、南京大学、浙江大学、南开大学、武汉理工大学。 设计制造了磁控溅射生产型设备，用于半导体器件的生产，典型用户：武汉光迅科技有限公司、深圳彩煌热电技术公司。 设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：香港城市大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。 设计制造了电子束镀膜机。典型用户：武汉理工大学、南方科技大学、中国计量大学。 设计制造了高真空电阻热蒸发镀膜机、高真空电极制备镀膜机。典型用户：苏州大学、北京大学。 公司已投放市场的部分半导体设备 |物理气相沉积（PVD）系列 磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD |化学气相沉积（CVD）系列 MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD |超高真空系列 分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE） |成套设备 团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5） |其他 金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备 |真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件 直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽） 控制系统及软件 团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累 2001年 与南昌大学合作 设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。 2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作 设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。 2006年 与中国科技大学合作 设计设计超高温CVD 和MBE。 用于4H晶型SiC外延生长。 2007年 与兰州大学物理学院合作 设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。 2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作 制造了金刚石外延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。 2017年 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。 -开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。 2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。