一、物料概述
ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用**的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该装置适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485不含铅。
二、功能特征
1、-40V，RDS（ON）=13 mΩ（Typ），VGS=-10V
RDS（ON）=17 mΩ（Typ），VGS=-4.5V
2、快速切换
3、低RDS的高密度电池设计（开）
4、材料：无卤素
5、可靠且坚固
6、雪崩额定值
7、低泄漏电流
三、应用
1、PWM应用
2、负载开关
3、便携式/台式电脑的电源管理
4、DC/DC转换
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