嵌入式系统系列

我们的嵌入式系统符合JEDEC内存标准，并提供各种不同外观尺寸、容量、速度，以优化嵌入式系统的表现。

产品特色

1. Small Outline Dual In-line Memory Module
2. Fully Tested and Optimized for Stability and Performance
3. Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards
4. JEDEC Standard 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)
5. Operating Environment : 0°C ~ 85°C
6. RoHS Compliance
7. CE/FCC Certification

Overview:

DDR3 SODIMM内存（小外框）是一种紧凑的工业标准内存模块，可巧妙地安装在任何嵌入式、监控和自动化设置中。DDR3 SODIMM内存符合所有相关JEDEC标准，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，数据传输速率分别为1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。

规格：

Interface	DDR3
bbbb Factor	SODIMM
Data Rate	1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Capacity	1GB, 2GB, 4GB, 8GB
Function	Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number	204pin
bbbbb	64Bits
Voltage	1.5V, 1.35V
PCB Height	1.18 Inches
Operating Temperature	0°C to 85°C

产品料号：

Density	Component Composition	Part Number	Rank	Voltage	Description
1GB	128Mx16	M3S0-1GSWFLQE	1Rx16	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM
2GB	256Mx16	M3S0-2GSVFLQE	1Rx16	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM
2GB	256Mx8	M3S0-2GSJCLQE	1Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM
4GB	256Mx8	M3S0-4GSJDLQE	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM
4GB	256Mx16	M3S0-4GSV0LQE	2Rx16	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM
4GB	512Mx8	M3S0-4GSSCLQE	1Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM
8GB	512Mx8	M3S0-8GSSDLQE	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 SODIMM

4GB	1866MT/s	256Mx16	三星	2	2	M3S0-4GSV0CQE
4GB	1600MT/s	256Mx16	三星	2	2	M3S0-4GSV0CPC
4GB	1333MT/s	256Mx16	三星	2	2	M3S0-4GSV0CN9
4GB	1866MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0CQE
4GB	1600MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0CPC
4GB	1333MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0CN9
4GB	1866MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDCQE
4GB	1600MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDCPC
4GB	1333MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDCN9
4GB	1066MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDCM7
4GB	800MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDCL6
4GB	1866MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDCQE
4GB	1600MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDCPC
4GB	1333MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDCN9
4GB	1866MT/s	512Mx8	三星	1	2	M3S0-4GSSCCQE
4GB	1600MT/s	512Mx8	三星	1	2	M3S0-4GSSCCPC
4GB	1333MT/s	512Mx8	三星	1	2	M3S0-4GSSCCN9
4GB	1866MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCCQE
4GB	1600MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCCPC
4GB	1333MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCCN9

4GB	1866MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDLQE
4GB	1600MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDLPC
4GB	1333MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDLN9
4GB	1066MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDLM7
4GB	800MT/s	256Mx8	三星	2	2	M3S0-4GSJDLL6
4GB	1866MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDLQE
4GB	1600MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDLPC
4GB	1333MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDLN9
4GB	1866MT/s	256Mx16	三星	2	2	M3S0-4GSV0LQE
4GB	1600MT/s	256Mx16	三星	2	2	M3S0-4GSV0LPC
4GB	1333MT/s	256Mx16	三星	2	2	M3S0-4GSV0LN9
4GB	1866MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0LQE
4GB	1600MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0LPC
4GB	1333MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0LN9
4GB	1866MT/s	512Mx8	三星	1	2	M3S0-4GSSCLQE
4GB	1600MT/s	512Mx8	三星	1	2	M3S0-4GSSCLPC
4GB	1333MT/s	512Mx8	三星	1	2	M3S0-4GSSCLN9
4GB	1866MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCLQE
4GB	1600MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCLPC
4GB	1333MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCLN9

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