科研实验专用碲化锑靶材Sb2Te3碲化锗靶材GeTe磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
碲化锑为温差电材料.碲化锑，周期表第VA，VIA族元素化合物半导体。
产品参数
中文名 碲化锑 分子式 Sb2Te3
分子量 626.32 熔点 620℃
密度 6.5g/cm3
产品介绍
碲化锗晶体可用作红外光发射和探测材料。周期表第W， 族元素化合物半导体。 离子性晶体。三角晶系面心结构，熔点724 C' 。为直接带隙半导体，采用熔化再结品法制备。
产品参数
中文名 碲化锗 化学式 GeTe
熔点 725℃ 密度 6.14g/ml
支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
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