产品属性

加工定制

是|否

型号

Orion III

用途

半导体CVD

别名

CVD

规格

300mm

所有参数

北京创世杰公司提供美国Trion公司的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀机（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机。美国Trion公司为化合物半导体、MEMS（微机电系统）、光电器件以及其他半导体市场提供多种等离子工艺设备。美国TRION公司提供的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀机（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机在业内以系统占地面积小，成本合理而著称，且设备及工艺可靠性和稳定性久经考验。美国TRION公司提供的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀机（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机系列产品既包含成套的批量生产设备，也有用于科研开发的系统。

Orion III 等离子增强型化学气相沉积系统

设备主要性能指标:

1. 适于实验室和小规模生产线

2. 适合沉积氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及非晶硅等薄膜

3. 可使用的工艺气体：SiH4（含量<20%）、NH3、TEOS、SiH2Cl2、N2O、O2以及N2等

4. 基片台尺寸为200mm或300mm

5. **基片尺寸300mm，兼容更小尺寸的基片

6. 标配功率300W、频率350-460kHz的等离子激发源（底部源）

7. 从反应腔室顶盖处直接装卸基片

8. 配备工艺压力下游自动控制系统

9. 标配4路，最多8路质量流量计控制的工艺气路，采用超洁净管路及VCR接头

10. 基于计算机的配方式工艺控制系统，彩色触摸屏操控

11. （可选）增加功率600W、频率13.56MHz的高密度等离子激发源（顶部源），优化薄膜应力控制

12. （可选）基片加热温度控制50℃至400℃

13. （可选）油泵、干泵及分子泵

14. （可选）Loadlock预真空锁腔室

15. （可选）ICP电感应耦合等离子源

同时，本公司还可以提供美国Trion公司用于批量生产型的Titan型和Oracle III型多腔室型生产型的等离子增强化学气相沉积系统PECVD和反应离子刻蚀系统RIE（含ICP、HDICP、深硅刻蚀等）。

免责声明：当前页为美国TRION公司等离子增强化学气相沉积系统 PECVD产品信息展示页，该页所展示的美国TRION公司等离子增强化学气相沉积系统 PECVD产品信息及价格等相关信息均有企业自行发布与提供，美国TRION公司等离子增强化学气相沉积系统 PECVD产品真实性、准确性、合法性由店铺所有企业完全负责。世界工厂网对此不承担任何保证责任，亦不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷，纠纷由会员自行协商解决。

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