Thermco专为科研客户对于占地面积小、消耗低而设计了高可靠性和稳定性的260X型扩散炉、氧化炉和LPCVD。
产品应用
标准半导体工艺
·LPCVD氮化硅(标准型)
·LPCVD氮化硅(低应力型)
·LPCVD斜坡温度多晶硅
·LPCVD一致晶粒多晶硅
·LPCVD氧化层TEOS(正硅酸乙脂)
·LPCVD VLTO(低温氧化)
·LPCVD BPSG(硼磷硅玻璃)
· 高温氧化
· 干法氧化
· 湿法氧化
· 掺杂扩散 (3-4路液相掺杂管路 ( POCL3 or BBR3))
· 5-6路TCA或Hcl气路
· 混合气体退火
· 高温热回火
· 低温退火和合金化
· 高温驱入(Drive in)
标准LED工艺
·高真空退火(环境可控)
·低温合金化/退火
标准PV(太阳能)工艺
·湿氧/干氧
·PN结驱入
·Forming气体退火
·氢气退火
·低温热处理
·POCl3,BBr3 PN结和槽
·反射氮化膜(ARC Nitride coating)
标准MEMS(微机电)工艺
·低应力CVD氮化物
·氧氮化物SIPOS
·厚氧
·TEOS,良好的台阶覆盖能力
·多晶硅和掺杂多晶硅
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