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一, 四元合金靶材:CIGS 靶材
1,常规原子比:1:0.7:0.3:2 或者 1:0.8:0.2:2 (客户亦可根据自身工艺制订原子比例)
技术对接:CVD合成四元合金(高精分析天平称量,各种元素的配比公差低于百万分之一)--氮气保护下研磨制粉 –HP (热压)--检验—打磨,抛光。
2,检验:ICP-MS;XRD 通过ICP-MS 检测杂质含量:5N的CIGS 靶材的杂质元素总和小于10ppm
通过XRD衍射 :CIGS 具备闪锌黄铜矿结构。(可提供检验报告和样品)
3,靶材致密度:大于93%
4,服务:可免费提供导电玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客户**的硒化工艺,因为磁控溅射CIGS的过程中有硒的流失。
5,安全防护措施:提供MSDS及溅射过程中的必要防护。
二,三硒化二铟(In2Se3)靶材;三硒化而镓(Ga2Se3)靶材,硒化亚铜(Cu2Se),或硒化铜(CuSe)靶材
技术对接:CVD 合成二元合金 – HP (热压)--检验—打磨,抛光。
三,铜镓(CuGa);铜铟(CuIn);铜镓铟(CuGaIn)靶材
*配方原子比例:客户可自选,我方亦可以提供常规原子比例。
四,铜(Cu)靶;铟(In)靶,硒(Se)靶
技术对接:浇铸
五,CIGS 配套靶材
N型:硫化镉(CdS )靶,硫化锌(ZnS)靶,硒化锌(ZnSe)靶 。
氧化锌铝(AZO)靶 ,钼(Mo)靶
1,由于硫化镉有毒,所以硫化锌,硒化锌靶为其替代品。试验表明硒化铟也有此属性。
2,硫化镉,硫化锌,硒化锌制备工艺:CVD 高纯氩气携带金属蒸汽(镉,锌蒸汽)进入反应室与过量的H2S,H2Se 气体气相沉积而成。
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