工作电压: 2.4V~5.5V
工作温度: -40 ~ 85℃
封装:SOP8
内核: 高速1T 8051
Flash ROM: 4KB Flash ROM(MOVC禁止寻址0000H~00FFH)可重复写入1万次;
IAP:可code option成0K、0.5K、1K或4K
EEPROM:独立的128Byte,可重复写入10万次,10年以上保存寿命
SRAM:内部256Byte
系统时钟:内建高频 24MHz 振荡器
l IC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V)
l 频率误差: 跨越 (4.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境, 不超过 ±1%。
内建低频 128kHz LRC 振荡器
l 可作为baseTimer的时钟源,并唤醒STOP
l 可作为WDT的时钟源
l 频率误差: 跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境,频率误差不超过 ±4%
低电压复位(LVR):
l 复位电压有4级可选:分别是:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V
l 缺省值为用户烧写Code Option所选值
Flash烧写接口:
l 2线烧写接口
中断(INT):
l Timer0, Timer1, Timer2, INT0, INT2, ADC,PWM,UART,base Timer共9个中断源
l 外部中断有2个中断向量,共4个中断口,全部可设上升沿、下降沿、双沿中断
l 两级中断优先级可设
数字外围:
l *6个双向可独立控制的 I/O口,可独立设定上拉电阻
l P2口源驱动能力分四级控制
l 全部IO具有大灌电流驱动能力(47mA)
l 11位WDT,可选时钟分频比
l 3个标准 80C51 定时器Timer0、Timer1和Timer2
l 2路共用周期、单独可调占空比的 8位PWM
l 1个独立UART通信口
模拟外围:
l 5路12位±2LSB ADC
n 内建基准的 2.4V 参考电压
n ADC的参考电压有2种选择, 分别是 VDD以及内部2.4V
n 内部一路ADC可直接测量VDD电压
n 可设ADC转换完成中断
省电模式:
l IDLE Mode,可由任何中断唤醒
l STOP Mode,电流<1uA,可由 INT0、2和baseTimer唤醒
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