环境光探测器
光敏传感器
（直接替代光敏电阻）
型号：PD850C5F
深圳市宝安区沙井新雷时代
2014版
●替代光敏电阻CdS ●符合RoHS指令/无铅/无镉 ●增强型光敏传感器 |
产品规格书
典型应用
替代光敏电阻（CdS）；
调节背景光，如电视，PDA，照相机，LCD/LED显示器和移动等；
控制玩具和照明设备。
特性
特制滤光环氧树脂封装，光谱响应特性类似于人眼；
随光照度变化线性输出；
具有一定的温度稳定性；
低暗电流，低工作照度；
符合ROHS指令/无铅/无镉；
高增益电流放大IC
结构示意图及内部原理（单位：mm）
|
极限参数Ta=25℃
特性参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
正向击穿电压 | Vdd | 70 | 伏 |
反向击穿电压 | -Vdd | 7 | 伏 |
**功耗 | PD | 450 | 毫瓦 |
工作温度 | Topr | -25~+70 | 度 |
储存温度 | Tstg | -25~+80 | 度 |
焊接温度（5秒）※1 | Tsol | 260 | 度 |
※ 1在离胶体底部4mm处焊接，焊接温度控制在额定值内，时间在5秒以内。
光电特性Ta=25℃
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | ** | 单位 | |
亮电流 | PD850C5F | Iss | Vdd=5V, Ev=10Lux (Ee=1Mw/cm2)※2 | 800 | 1200 | 2000 | 微安 |
暗电流 | Idrk | Vdd=5V, Ee=0※2 | 500 | 纳安 | |||
光谱灵敏度 | Δλ | 450~1050 | 纳米 | ||||
饱和压降 | Vdd-Vss | 0.18 | 伏 | ||||
反应时间（上升） | tr | Vdd=5V, Rss=1K | 3.2 | 微秒 | |||
反应时间（下降） | Tf | 4.8 | 微秒 | ||||
※ 2Ev,Ee测试光源采用白光LED光源。
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