4 寸Ge 规格书
掺杂剂 *** Ga
导电类型 *** P
直径 mm 100±0.25
晶向 *** (100)90 of toward (111)±0.50
厚度 μm 175±10
主定位边长度 mm 32±1
电阻率 ohm.cm (0.74-2.81) E-2
掺杂浓度 /c.c (0.26-2.24)E18
迁移率 cm2/V.s 382-865
EPD /cm2 ≤300
Bow μm ≤10
Warp μm ≤10
TTV μm ≤15
倒边 mmR 0.25
正面 polish
背面 Ground
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