Mgo单晶是一种良好的基片材料,应用于混合磁片,电子照片,高温超导材料,我们采用电弧熔融法生长高纯度Mgo晶体,用于加工成各种规格基片且成本低廉,可提供包括2寸及其他各种尺寸的优质氧化镁晶块。
晶体结构 |
立方体 a=4.216埃 |
生长方法 |
电弧熔融法 |
熔 点 |
2852℃ |
晶体纯度 |
MgO99.95% min |
晶体解理面 |
<100> |
密 度 |
3.58g/cm3 |
介电常数 |
9.8 |
热膨胀系数 |
12.8×10 -6/℃ |
光透过率 |
>90%@200-400nm>98%@500-1000nm |
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