产品概述 纯SnO2是一禁带宽达3.8eV的绝缘体,当产生O空位或掺杂F、Sb等元素后,形成n型半导体,其中锑掺杂二氧化锡(简称ATO)具有优良的电学性能和光学性能。作为抗静电材料广泛应用在涂料、化纤、高分子膜等方面,显示出比其它抗静电材料如石墨、表面活性剂、金属粉较大的优越性,如耐候性、耐磨性、分散性。此外在光电显示器件、液晶显示(LCD)、透明电极、太阳能电池、建筑用低辐射率等玻璃、催化等领域有广泛的应用。 参考技术指标 外观 浅蓝色粉末 成分 SnO2、Sb2O3 粒径(nm) 60 耐温性(℃) 1100 粉末体积电阻率(Ω·cm )
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