取代SIC涂层的MOCVD工艺托盘,高纯氮化铝材质MOCVD托盘
现市场LED外延外生产工艺多采用SIC涂层的石墨盘做为托盘。
此类产品更多的被采用于GaN(氮化镓)基板的外延,因为其要求温度更高,
但于由于SIC涂层的厚度较低,高低温反复使用造成SIC涂层热膨冷缩破损,裸露出内部石墨,石墨在高于1000度的情况下与反应气体中的HN3(氨气)发生反应,产生相应杂质,从而托盘不能再使用需要更换。这样的时间大约需要1-2个月。
现在我司推出日本公司新开发的高纯氮化铝陶瓷生产的MOCVD托盘,可以完全取代现在采用的SIC涂层产品。
以下为本产品与SIC涂层产品的相应比较。
一,高纯氮化铝材料的特性;
1,氧的固溶量
2,高密度,约为3.23g/cm3,相对密度约为99%,高密度成形,致密烧结技术
3, 热传导率约为90W/mK
二,特性比较
耐腐蚀性 | 热传导性 | 寿命 | 价格 | |
石墨+SIC | X | ○ | X | ◎ |
高纯SIC | △ | ○ | ○ | X |
ALN | ○ | ○ | ○ | ○ |
X表示不可,○表示可,◎表示好
三,表面欠缺比较
SIC涂层品加工工艺上的原因,有时会有部分欠缺,各别部分的涂层厚度也没有办法管理。
高纯氮化铝村料则相反,这样托盘的导热性均一,平坦度高,所生产的外延片的质量要更好。
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