铟(In) Indium
1, 物理性质:
原子量:114.818
电负性:1.78
密度:7.31 g/cm3 (20℃)(0-100℃)
熔点:156.5985 ℃
沸点:2072 ℃
2,规格:
化学纯度:
高纯铟:In-05 纯度99.999%以上,银,铝,砷,镉,铜,铁,镁,镍,铅,硫,硅,锡,铊,锌杂质总含量小于10ppm;
超纯铟:In-06 纯度99.9999%以上,镉,铜,铁,镁,铅,硫,硅,锡杂质总含量小于1ppm;
超高纯铟:In-07 纯度99.99999%以上,银,镉,铜,铁,镁,镍,铅,锌杂质总含量小于0.1ppm;
3,物理性状:棒,锭,片,粒,丸。
4,用途:
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,高纯合金,超低温冷却,晶体管基极以及锗,硅单晶的掺杂剂,铟封,ITO,核辐射安全监控,电接触元件,焊料等。
5,包装:涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。
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