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该设备是一台高真空化学气相沉积设备,可用于生长SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度,使CVD在热稳定性差的基底表面上进行沉积成为可能。例如可以在低熔点的Al或低软化点的有机聚合物基底表面上进行CVD镀膜。也可以在高温下发生相变的金属或合金表面进行CVD镀膜。反应温度的降低还可以有效抑制半导体器件制作过程中的层间扩散和降低热应力失配。主要技术指标 1, 极限真空:6.6×10-5Pa 2, 工作真空:6.6×10-4Pa 3, 基片加热温度:室温至300℃ 4, 升压率:停机1小时≤1 Pa

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